具有环绕式接触部的纳米线结构

摘要

本发明描述了具有环绕式接触部的纳米线结构。例如，纳米线半导体器件包括设置于衬底上方的纳米线。沟道区设置于所述纳米线中。所述沟道区具有长度以及与该长度正交的周边。栅极电极堆叠体包围所述沟道区的整个周边。一对源极区和漏极区设置于所述沟道区的两侧上的纳米线中。所述源极区和漏极区中的一个具有与所述沟道区的长度正交的周边。第一接触部完全包围所述源极区的周边。第二接触部完全包围所述漏极区的周边。

主权项

一种纳米线半导体器件，包括：设置于衬底上方的纳米线；设置于所述纳米线中的沟道区，所述沟道区具有长度以及与所述长度正交的周边；包围所述沟道区的整个周边的栅极电极堆叠体；设置于所述沟道区的两侧上的所述纳米线中的一对源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区中的每一个均具有与所述沟道区的所述长度正交的周边；以及一对接触部，所述一对接触部中的第一接触部完全包围所述源极区的周边，并且所述一对接触部中的第二接触部完全包围所述漏极区的周边。