| 发明名称 | 三甲基硅烷的纯化方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种三甲基硅烷的纯化方法，其包括(1)准备至少浸渍有氧化铜(II)以及氧化锌的活性碳的工序；(2)使三甲基硅烷吸附于前述活性碳的工序；(3)使包含硅烷、甲基硅烷、或者二甲基硅烷作为杂质的三甲基硅烷接触完成了前述(2)的工序的活性碳，吸附该杂质并从三甲基硅烷去除的工序。通过该方法，可以抑制活性碳的发热，高效地去除二甲基硅烷等杂质。 | ||
| 申请公布号 | CN104136447A | 申请公布日期 | 2014.11.05 |
| 申请号 | CN201380010463.X | 申请日期 | 2013.01.16 |
| 申请人 | 中央硝子株式会社 | 发明人 | 手岛卓也;柴山茂朗;中村阳介;平冈知之 |
| 分类号 | C07F7/20(2006.01)I;C07F7/08(2006.01)I | 主分类号 | C07F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种三甲基硅烷的纯化方法，其包括：(1)准备至少浸渍有氧化铜(II)以及氧化锌的活性碳的工序；(2)使三甲基硅烷吸附于所述活性碳的工序；(3)使包含硅烷、甲基硅烷、或者二甲基硅烷作为杂质的三甲基硅烷接触完成了所述(2)的工序的活性碳、吸附该杂质并从三甲基硅烷去除的工序。 | ||
| 地址 | 日本山口县 | ||