| 发明名称 | 集成初级启动偏置和MOSFET驱动器 | ||
| 摘要 | 一种直流-直流变换器，其包括具有初级侧(P1，P2)和次级侧(S1，S2，S3)的功率变压器(104)和耦接至变压器初级侧的多个功率晶体管(102)。该变换器还包括耦接至变压器的次级侧的次级偏置电源(110)以及耦接至变压器次级侧并且被配置为基于与变压器的次级侧关联的电压电平产生反馈控制信号的次级侧控制器(108)。该次级侧控制器仅从次级偏置电源接收工作功率。 | ||
| 申请公布号 | CN104135144A | 申请公布日期 | 2014.11.05 |
| 申请号 | CN201410249566.8 | 申请日期 | 2014.04.30 |
| 申请人 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 发明人 | S·J·图玛茨 |
| 分类号 | H02M1/36(2007.01)I;H02M3/335(2006.01)I | 主分类号 | H02M1/36(2007.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 一种直流‑直流变换器，其包含：具有初级侧和次级侧的功率变压器；耦接至所述变压器的所述初级侧的多个功率晶体管；耦接至所述变压器的所述次级侧的次级偏置电源；以及次级侧控制器，其耦接至所述变压器的所述次级侧并且被配置为基于与所述变压器的所述次级侧关联的电压电平产生反馈控制信号；其中所述次级侧控制器仅从所述次级偏置电源接收工作功率。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||