用于半导体的粘合剂组合物和包括该组合物的粘合剂膜

摘要

本公开提供了一种用于半导体的粘合剂组合物和包括该粘合剂组合物的粘合剂膜。所述粘合剂组合物在125℃固化30分钟后在150℃具有100至1500gf/mm²的抗压强度。所述用于半导体的粘合剂组合物可缩短或省略半固化工艺，通常在接合相同类型的芯片后进行所述半固化工艺。所述用于半导体的粘合剂组合物保证了芯片接合之后的引线接合中的最小模量以最小化空隙，并在芯片接合后的多个固化工艺提供残留固化速率以易于消除EMC成型中的空隙。

主权项

一种用于半导体的粘合剂组合物，所述粘合剂组合物在125℃固化30分钟后在150℃具有100gf/mm²至1500gf/mm²的抗压强度，其中所述抗压强度是指粘合剂组合物在125℃固化30分钟形成为400μm厚的层压体并用ARES在150℃、0.1mm/sec下压制后的0.05mm的压制距离下的强度；其中所述粘合剂组合物包括：粘结剂树脂、环氧树脂和胺固化剂，其中基于所述用于半导体的粘合剂组合物的总量，所述粘结剂树脂的含量为25至70wt％，其中所述粘结剂树脂包括(甲基)丙烯酸酯共聚物；其中所述胺固化剂包括由通式1表示的第一胺固化剂和由通式2表示的第二胺固化剂：[通式1]其中A表示C1至C6直链或支链的亚烷基，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉和R₁₀各自独立地表示氢、C1至C4烷基、C1至C4烷氧基、或氨基，且R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉和R₁₀中的至少两个包括氨基，且[通式2]其中B表示‑SO₂‑、‑NHCO‑或‑O‑，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉和R₁₀各自独立地表示氢、C1至C4烷基、C1至C4烷氧基、或氨基，且R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉和R₁₀中的至少两个包括氨基。