| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供一种具有沟槽栅构造的半导体装置，以通过改善沟槽端部的布局形状，能够防止栅极氧化膜强度下降或耐压振荡。本发明涉及的半导体装置具备沟槽(5)，从P基极层(4)表面跨越延伸到P阱层(3)表面而形成，且在P阱层(3)表面具有延伸方向的沟槽端部(8)，沟槽(5)具备从沟槽端部(8)跨越延伸到P基极层(4)与P阱层(3)边界附近的P基极层(4)表面内的第1区域，以及在P基极层(4)表面内从第1区域端部延伸的第2区域，第1区域的沟槽宽度比第2区域的沟槽宽度宽。 | ||
| 申请公布号 | CN102544071B | 申请公布日期 | 2014.11.05 |
| 申请号 | CN201110276618.7 | 申请日期 | 2011.09.05 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 楢崎敦司;吉田久晃;东和章 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 何立波;张天舒 |
| 主权项 | 一种半导体装置，具备：第1导电型的漂移层，在第1导电型的半导体衬底上形成；第2导电型的基极层，在所述漂移层表面选择性地形成；第2导电型的阱层，与所述基极层邻接且在所述漂移层表面形成；沟槽，从所述基极层表面跨越延伸到所述阱层表面而形成，且在所述阱层表面具有延伸方向的沟槽端部；以及栅极电极，在包含所述沟槽的所述漂移层上选择性地形成，所述沟槽具备从所述沟槽端部跨越延伸到所述基极层与所述阱层边界附近的所述基极层表面内的第1区域，以及在所述基极层表面内从所述第1区域端部延伸的第2区域，所述第1区域的沟槽宽度比所述第2区域的沟槽宽度宽。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||