| 发明名称 | 一种半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体装置，包含:衬底，包含具有第一表面的第一侧与具有第二表面的第二侧;凹陷的硅穿孔(TSV)，贯穿该衬底并相对于该第一侧的该第一表面形成一第一段差;及第一突出的重分布联机(RDL)，填入该第一段差并与该凹陷的硅穿孔衔合。 | ||
| 申请公布号 | CN104134640A | 申请公布日期 | 2014.11.05 |
| 申请号 | CN201310158651.9 | 申请日期 | 2013.05.02 |
| 申请人 | 艾芬维顾问股份有限公司 | 发明人 | 黄昭元;何岳风;杨名声;陈辉煌 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人 | 史霞 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包含:衬底，包含具有第一表面的第一侧与具有第二表面的第二侧;凹陷的硅穿孔(TSV)，贯穿该衬底并相对于该第一侧的该第一表面形成一第一段差;及第一突出的重分布联机(RDL)，填入该第一段差并与该凹陷的硅穿孔衔合。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市香山区芝柏三街52号 | ||