立体结构的磁隧道结的形成方法及形成设备

摘要

本发明实施例提供了一种立体结构的磁隧道结的形成设备，所述形成设备的结构简单，为本发明实施例的立体结构的磁隧道结的形成方法提供了有利条件。本发明实施例的形成方法中，发明人采用固态的第一反应物、固态的第二反应物和气态的第三反应物，利用原子层沉积工艺，形成作为立体结构的磁隧道结中的磁材料层的CoFeB薄膜，形成的CoFeB薄膜的质量好，后续形成的磁存储器的可靠性高。

主权项

一种立体结构的磁隧道结的形成设备，包括用于形成磁材料层的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室包括：镀膜室，所述镀膜室一腔室壁上具有至少一个开孔；第二供气单元，所述第二供气单元与所述镀膜室内的开孔相连，用于提供乙硼烷；位于所述镀膜室内的第一加热器，所述第一加热器位于所述开孔位置的正下方；位于所述镀膜室上的第二加热器；位于所述第二加热器表面的第一子反应腔，所述第一子反应腔与所述开孔相连，用于提供固态的第一反应物；位于所述第二加热器表面的第二子反应腔，所述第二子反应腔与所述第一子反应腔相互分立，且与所述开孔相连，用于提供固态的第二反应物。