一种减少超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法

摘要

本发明提供一种减少超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，包括：步骤S01：在半导体衬底上依次沉积介电阻挡层以及含有致孔剂的低介电常数层；步骤S02：通入含碳气体对低介电常数层表面进行等离子体处理；步骤S03：去除致孔剂；步骤S04：在低介电常数层表面依次形成介电阻挡层以及金属硬质掩膜层；步骤S05：对所述金属硬质掩膜层、介电阻挡层、含碳氧化层和低介电常数层进行刻蚀，以形成沟槽。本发明通入含碳气体对低介电常数层进行等离子体处理，掺入的碳元素使含碳氧化层在化学溶液中的刻蚀速率接近低介电常数层的刻蚀速率，从而避免沟槽结构的侧壁出现凹陷，此外，掺入碳元素还可以降低薄膜的介电常数值，提高了器件的电学性能。

主权项

一种减少超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，其特征在于，包括：步骤S01：在半导体衬底上依次沉积介电阻挡层以及低介电常数层，其中，所述低介电常数层含有致孔剂；步骤S02：通入含碳气体对所述低介电常数层表面进行等离子体处理，以去除所述低介电常数层表面的反应物，且在所述低介电常数层表面形成含碳氧化层；步骤S03：对所述低介电常数层进行紫外线处理或加热处理，以去除所述致孔剂；步骤S04：在处理后的低介电常数层表面依次形成介电阻挡层以及金属硬质掩膜层；步骤S05：采用刻蚀工艺在所述金属硬质掩膜层、介电阻挡层、含碳氧化层和低介电常数层所形成层叠结构中形成沟槽。