一种对RRAM存储器保持时间参数进行测试的方法

摘要

本发明公开了一种对RRAM存储器的保持时间参数进行测试的方法，包括：判断RRAM存储器当前所处的状态，根据RRAM存储器所处状态，给RRAM存储器加载用户设定编程电压或擦除电压；加载编程电压时，通过不断地读取通过RRAM存储器的电流，判断RRAM状态，直至RRAM存储器所处状态发生改变后，加载擦除电压，并记录RRAM存储器从加载编程电压到状态改变所需时间，即RRAM存储器编程保持时间；加载擦除电压时，通过不断地读取通过RRAM存储器的电流，判断RRAM状态，直至RRAM存储器所处状态发生改变后，加载编程电压，并记录RRAM存储器从加载擦除电压到状态改变所需时间，即RRAM存储器擦除保持时间。

主权项

一种对RRAM存储器保持时间参数进行测试的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：判断RRAM存储器当前所处的状态，如果RRAM存储器当前所处的状态是高阻态，则向RRAM存储器加载编程电压，执行步骤2；如果RRAM存储器当前所处的状态是低阻态，则向RRAM存储器加载擦除电压，执行步骤3；步骤2：在向RRAM存储器加载编程电压时，持续读取通过RRAM存储器的电流，判断RRAM存储器的状态，直至RRAM存储器所处状态发生改变，停止向RRAM存储器加载编程电压，并记录RRAM存储器从加载编程电压到状态改变所需的时间，该时间即RRAM存储器编程保持时间，结束；步骤3：在向RRAM存储器加载擦除电压时，持续读取通过RRAM存储器的电流，判断RRAM存储器的状态，直至RRAM存储器所处状态发生改变后，停止向RRAM存储器加载擦除电压，并记录RRAM存储器从加载擦除电压到状态改变所需的时间，该时间即RRAM存储器擦除保持时间。