直接位于多晶硅结构上方的标准单元金属结构

摘要

本发明公开的一种半导体结构包括第一有源区结构、环绕第一有源区结构的隔离结构、第一多晶硅结构、第一金属结构以及第二金属结构。第一多晶硅结构位于第一有源区结构上方。第一金属结构直接位于第一有源区结构的第一部分上方。第二金属结构直接位于第一多晶硅结构的一部分上方且与所述第一多晶硅结构的所述一部分相接触以及与第一金属结构相接触。本发明还公开了直接位于多晶硅结构上方的标准单元金属结构。

主权项

一种可用于制造标准单元的布局设计，包括：第一有源区布局图案，与形成所述标准单元的第一有源区相关联，隔离区至少位于所述第一有源区布局图案的外部；第一多晶硅布局图案，与形成所述标准单元的第一多晶硅结构相关联，所述第一多晶硅布局图案配置为与所述第一有源区布局图案重叠；第一金属布局图案，与形成所述标准单元的第一金属结构相关联，所述第一金属布局图案配置为与所述第一有源区布局图案重叠；以及第二金属布局图案，与形成所述标准单元的第二金属结构相关联，所述第二金属布局图案配置为与所述第一多晶硅布局图案和所述第一金属布局图案重叠。