发明名称 |
硅晶太阳能电池的制造方法以及硅晶太阳能电池 |
摘要 |
本发明提供一种硅晶太阳能电池的制造方法以及硅晶太阳能电池,包括下列步骤。提供受光面上形成掺杂层的硅基材。在受光面上形成第一介电层。在硅基材的背面上形成第二介电层。在硅基材的背面上局部移除第二介电层及硅基材的至少一部分,以在硅基材的背面上形成具有开口的图案化第二介电层以及至少一凹槽,且该开口暴露出凹槽。在受光面上与背面上分别形成第一电极组成物与第二电极组成物,第二电极组成物至少一部份填入硅基材的凹槽中。进行高温工艺,使硅基材与第一电极组成物及与第二电极组成物共烧结,以在受光面上及背面上分别形成第一电极及第二电极。 |
申请公布号 |
CN104134718A |
申请公布日期 |
2014.11.05 |
申请号 |
CN201310278305.4 |
申请日期 |
2013.07.04 |
申请人 |
友晁能源材料股份有限公司 |
发明人 |
周益钦;刘珈芸;郑丞良;王品胜;吴邦豪 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
臧建明 |
主权项 |
一种硅晶太阳能电池的制造方法,其特征在于,包括:提供一硅基材,所述硅基材的受光面上形成掺杂层;在所述受光面上形成第一介电层;在所述硅基材相对于所述受光面的背面上形成第二介电层;在所述背面上局部移除所述第二介电层以及所述硅基材的至少一部分,以在所述硅基材背面上形成图案化第二介电层以及至少一凹槽,其中所述图案化第二介电层暴露出所述凹槽;在所述受光面上形成第一电极组成物,在所述背面上形成第二电极组成物,其中所述第二电极组成物至少一部份填入所述硅基材的所述凹槽中;以及进行高温工艺,使所述硅基材与所述第一电极组成物以及与所述第二电极组成物共烧结,以在所述硅基材的所述受光面上形成第一电极以及所述背面上形成第二电极。 |
地址 |
中国台湾苗栗县竹南镇科研路50-6号3F |