发明名称 |
四结太阳能电池 |
摘要 |
本发明提供一种四结太阳能电池,具体为首先在一InP衬底上依次形成晶格匹配的第一子电池和第二子电池;在第二子电池上形成一材料过渡层,其中材料过渡层由一Ge低温成核层、一Ge缓冲层和第二缓冲层组成;在材料过渡层上依次形成与材料过渡层晶格匹配的第三子电池和第四子电池。本发明所涉及的四结太阳能电池具有良好的晶体质量,匹配的带隙组合,较高的转化效率等优点。 |
申请公布号 |
CN104134716A |
申请公布日期 |
2014.11.05 |
申请号 |
CN201410396263.9 |
申请日期 |
2014.08.13 |
申请人 |
天津三安光电有限公司 |
发明人 |
宋明辉;林桂江;陈文浚;毕京锋;李森林 |
分类号 |
H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0687(2012.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
四结太阳能电池,其包括:InP衬底;第一子电池和第二子电池,依次形成于所述InP衬底之上,其晶格常数与InP衬底匹配; 材料过渡层,形成于第二子电池之上,由一Ge低温成核层、一Ge缓冲层和第二缓冲层组成;第三子电池和第四子电池,依次形成于所述材料过渡层之上,其晶格常数与所述材料过渡层匹配。 |
地址 |
300384 天津市滨海新区华苑产业区海泰南道20号 |