| 发明名称 | 发光二极管芯片制造方法 | ||
| 摘要 | 一种发光二极管芯片制造方法，包括步骤：1)提供硅基板，该硅基板具有通过多个沟槽分隔开的多个磊晶层，每一沟槽底部具有阻隔层；2)在沟槽内填充绝缘材料；3)在磊晶层及绝缘材料顶面形成连续的金属结构；4)去除硅基板、阻隔层及绝缘材料；5)在各磊晶层底面及金属结构顶面形成相应的电极；6)沿沟槽切割金属结构而形成多个独立的发光二极管芯片。该制造方法可提升发光二极管芯片的光输出效率，且可加快发光二极管芯片的散热。 | ||
| 申请公布号 | CN102456778B | 申请公布日期 | 2014.11.05 |
| 申请号 | CN201010519376.5 | 申请日期 | 2010.10.26 |
| 申请人 | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 | 发明人 | 黄世晟;凃博闵;杨顺贵;黄嘉宏 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人 | 孔丽霞 |
| 主权项 | 一种发光二极管芯片制造方法，包括步骤：1)提供硅基板，该硅基板具有通过多个沟槽分隔开的多个磊晶层，每一沟槽底部具有用于阻挡磊晶层生长的阻隔层；2)在沟槽内填充绝缘材料；3)在磊晶层及绝缘材料顶面形成连续的金属结构；4)去除硅基板、阻隔层及绝缘材料；5)在各磊晶层底面及金属结构顶面形成相应的电极；6)沿沟槽切割金属结构而形成多个独立的发光二极管芯片。 | ||
| 地址 | 518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号 | ||