半导体结构的形成方法及半导体结构

摘要

本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供形成有导电结构的基底，所述基底上形成有覆盖导电结构的第一介质层，所述第一介质层内具有贯穿其厚度的第一互连层，所述第一互连层与导电结构电连接；在所述第一介质层和第一互连层上形成刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上形成第二介质层；刻蚀所述第二介质层和刻蚀阻挡层至露出第一互连层及部分第一介质层层，形成开口；在所述开口内填充满互连结构，所述互连结构与第一互连层电连接。本发明还提供一种半导体结构。本发明通过在第一介质层和第二介质层间形成刻蚀阻挡层，作为第一介质层和第二介质层的分界面，在刻蚀互连结构时，及时判断出所述分界面，防止发生对第一介质层过刻蚀的情况。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内形成有导电结构，所述基底上形成有覆盖导电结构的第一介质层，所述第一介质层内具有贯穿其厚度的第一互连层，所述第一互连层与导电结构电连接；在所述第一介质层和第一互连层上形成刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上形成第二介质层，所述第二介质层的材料与所述第一介质层的材料相同；在所述第二介质层上形成图案化的光刻胶层，以所述光刻胶层为掩膜刻蚀所述第二介质层和刻蚀阻挡层至露出第一互连层及部分第一介质层层，形成开口；在所述开口内填充满互连结构，所述互连结构与第一互连层电连接，所述互连结构下表面同时覆盖于所述第一互连层和所述第一介质层上。