一种离子沉积实现ITO靶材背面金属化的方法

摘要

本发明介绍了一种离子沉积实现ITO靶材背面金属化的方法，将铟制成铟靶；ITO靶材经过超声清洗烘干后，安装固定在多弧离子镀膜机的工件架上；偏压清洗后，启动多弧离子镀膜功能，在ITO表面沉积一层金属铟薄膜；镀膜工艺温度100~150℃，电压20~80V，电流0.1~0.6A，时间5~15min，氩气压强0.3~1Pa；降温取出清洗靶材，即可获得表面已经均匀金属化处理的ITO靶材。本发明方法简单，通过多弧离子沉积就可以实现ITO靶材背面金属化，然后就可以钎焊实现组件的生产；金属化层结合力高、速度快，不产生污染、不引入其它金属杂质有利于靶材回收。

主权项

一种离子沉积实现ITO靶材背面金属化的方法，包括使用多弧离子镀膜机，采用多弧离子法，其特征是具体过程为：将纯度为4N的99.99％金属铟加热熔化，浇铸到表面光滑的石墨模具中，制作成金属铟靶，表面用丙酮清洗后固定在靶基座上；ITO靶材经过草酸、丙酮和纯净水超声清洗烘干后，安装固定在多弧离子镀膜机上，把要处理的ITO靶材放在多弧离子镀膜机的真空腔室工件架上；先预抽真空到5×10^－4Pa，加热到温度100 ~ 150℃后，充入氩气到一定压力后准备镀膜；首先经过5~ 10min的200V负电压偏压清洗后，启动多弧离子镀膜机，在ITO表面沉积一层金属铟薄膜；当真空腔室温度降温到60℃以下取出并清洗靶材表面，即可获得表面已经均匀金属化处理的ITO靶材；镀膜工艺参数范围如下：温度为100 ~ 150℃，电压为20 ~ 80V，电流0.1 ~ 0.6A，时间5 ~ 15min，氩气压强为0.3 ~ 1Pa。