| 发明名称 | 具有非分立的源极区和漏极区的纳米线结构 | ||
| 摘要 | 描述了具有非分立的源极区和漏极区的纳米线结构。例如，半导体器件包括布置在衬底之上的多条垂直堆叠的纳米线。每条纳米线包括布置在纳米线中的分立的沟道区。栅极电极叠置体包围多条垂直堆叠的纳米线。一对非分立的源极区和漏极区布置在多条垂直堆叠的纳米线的分立的沟道区的任一侧上并与多条垂直堆叠的纳米线的分立的沟道区相邻。 | ||
| 申请公布号 | CN104137237A | 申请公布日期 | 2014.11.05 |
| 申请号 | CN201180076434.4 | 申请日期 | 2011.12.23 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | S·M·塞亚;A·卡佩拉尼;M·D·贾尔斯;R·里奥斯;S·金;K·J·库恩 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 王英;陈松涛 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：多条垂直堆叠的纳米线，所述多条垂直堆叠的纳米线布置在衬底上方，所述纳米线中的每条纳米线包括布置在所述纳米线中的分立的沟道区；栅极电极叠置体，所述栅极电极叠置体包围所述多条垂直堆叠的纳米线；以及一对非分立的源极区和漏极区，所述一对非分立的源极区和漏极区布置在所述多条垂直堆叠的纳米线中的所述分立的沟道区的任一侧上并与所述多条垂直堆叠的纳米线中的所述分立的沟道区相邻。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||