半导体发光器件

摘要

提供一种半导体发光器件。所述半导体发光器件包括多个化合物半导体层、电极层和导电支撑构件。所述化合物半导体层包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层。所述电极层设置在所述化合物半导体层之下。所述导电支撑构件设置在所述电极层之下。其中所述导电支撑构件具有相对于所述化合物半导体层为约50％之内的热膨胀系数。

主权项

一种半导体发光器件，包括： 多个化合物半导体层，其包括第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导体层之下的有源层和在所述有源层之下的第二导电型半导体层； 在所述多个化合物半导体层上的电极； 在所述化合物半导体层之下的电极层； 在所述电极层和所述化合物半导体层的外周之间的沟道层； 在所述电极层和所述化合物半导体层之间的欧姆层，所述欧姆层形成为图案化形状以形成部分肖特基；和 在所述电极层之下的导电支撑构件， 其中所述导电支撑构件相对于所述化合物半导体层具有在50％之内的热膨胀系数差， 其中所述导电支撑构件包含具有1～9×10^‑6/K的热膨胀系数的合金材料， 其中所述导电支撑构件由Ni基合金形成， 其中所述沟道层由氧化物基透明材料或氮化物基透明材料形成， 其中所述沟道层的内侧部分设置在所述多个化合物半导体层之下，并且所述沟道层的外侧部分具有与所述沟道层的内侧部分不同的厚度且暴露于所述化合物半导体层的外侧， 其中所述沟道层的所述外侧部分的厚度小于所述沟道层的所述内侧部分的厚度， 其中所述Ni基合金包含50％以上的Ni； 其中所述导电支撑构件由Ni‑Fe基合金、Ni‑Cr基合金、Ni‑Si基合金中的至少一种形成； 其中所述沟道层具有连续的或不连续的形状并且由导电材料形成。