一种C包覆HfC晶须的制备方法

摘要

本发明属于材料制备方法,具体涉及一种C包覆HfC晶须的制备方法，技术特征在于：不采用催化剂制备C包覆HfC晶须，采用HfCl₄-C₃H₆-H₂-Ar体系沉积HfC-C晶须。本发明的有益效果：不采用催化剂制备C包覆HfC晶须，而且设备简单易于操作。另外采取一步法制备，可以减少杂质的引入。以此制备的同轴电缆结构HfC-C晶须，有望改善增强体的界面结合，以提高HfC晶须的增强效果。

主权项

一种C包覆HfC晶须的制备方法，其特征在于步骤如下：步骤1：将片状碳/碳复合材料打磨抛光后用无水乙醇清洗，放入烘箱中80～100℃烘干；步骤2：将步骤1得到的碳/碳复合材料，放置在距离C₃H₆气体进口80‑85cm之处，同时10‑50g的HfCl₄粉末放入卧式化学气相沉积炉低温区，抽真空至‑0.1MPa，之后保真空30分钟通入氩气至常压；步骤3：然后以5℃/min的升温速度将高温区升至1000‑1200℃，在高温区到温前30min，开始以10℃/min的升温速度对低温区加热升至280~320℃；步骤4：双温区均到温后沉积开始，且H₂气以200~400mL/min、C₃H₆气以30‑50mL/min、Ar气以100‑200mL/min通入；然后每20min，以20mL/min的速度调节的C₃H₆流量，时间为1h，压力0.1MPa。