发明名称 一种空间低能电子和质子的探测方法
摘要 本发明公开了一种空间低能电子和质子的探测方法,具体涉及能量范围为0.1~1MeV的负电子和质子的探测方法,属于空间带电粒子探测领域。所述方法步骤如下:(1)让空间中的粒子通过同一均匀磁场,负粒子和正粒子向不同的方向偏转,实现负粒子和正粒子的分离;(2)采用两个一维位置灵敏探测器分别收集负电子和正粒子,根据产生的脉冲电荷信号高度分析,鉴别出正粒子是正电子还是质子,根据偏转半径和磁场强度,计算出质子的能量。所述方法能同时对负电子和质子进行探测,测量结果准确,方法切实可行,通过优化设计后可研制相应的探测器,为空间探测活动服务。
申请公布号 CN102967871B 申请公布日期 2014.11.05
申请号 CN201210451292.1 申请日期 2012.11.12
申请人 中国航天科技集团公司第五研究院第五一〇研究所 发明人 把得东;杨生胜;薛玉雄;安恒;石红;杨青
分类号 G01T1/00(2006.01)I 主分类号 G01T1/00(2006.01)I
代理机构 北京理工大学专利中心 11120 代理人 杨志兵;付雷杰
主权项 一种空间低能电子和质子的探测方法,电子在均匀磁场中弯曲了180度,然后被聚焦在一维位置灵敏探测器,在一维位置灵敏探测器中的能量沉淀,根据偏转半径,确定电子的能量,其特征在于:所述方法步骤如下:(1)低能电子和质子的分离让空间中的粒子通过同一均匀磁场(1‑4),负粒子和正粒子向不同的方向偏转,实现负粒子和正粒子的分离;其中,所述负粒子为负电子,所述正粒子为质子和正电子,磁场(1‑4)方向与粒子的入射方向垂直;(2)低能负电子和质子的探测低能负电子的探测:负电子和正粒子在均匀磁场(1‑4)中分离后,负电子在磁场(1‑4)中偏转180°后用一维位置灵敏探测器D1(1‑5)收集;负电子与一维位置灵敏探测器D1(1‑5)相互作用,并在一维位置灵敏探测器D1(1‑5)中沉积能量,产生电荷脉冲信号;根据电荷脉冲信号产生的位置,获得负电子在一维位置灵敏探测器D1(1‑5)上的入射位置;根据入射位置,获得负电子在磁场(1‑4)中的偏转半径;根据偏转半径和磁场强度,结合公式(1)计算出负电子的能量,<maths num="0001" id="cmaths0001"><math><![CDATA[<mrow><mi>R</mi><mo>=</mo><mn>3.336</mn><mfrac><mi>E</mi><mi>B</mi></mfrac><msup><mrow><mo>(</mo><mn>1</mn><mo>+</mo><mfrac><mn>1.002</mn><mi>E</mi></mfrac><mo>)</mo></mrow><mfrac><mn>1</mn><mn>2</mn></mfrac></msup><mo>-</mo><mo>-</mo><mo>-</mo><mrow><mo>(</mo><mn>1</mn><mo>)</mo></mrow></mrow>]]></math><img file="FDA0000499382090000011.GIF" wi="1419" he="130" /></maths>式中,R为负电子在磁场(1‑4)中的偏转半径,单位为cm;E为负电子的能量,单位为MeV,B为磁场强度,单位为kGs;低能质子的探测:负电子和正粒子在均匀磁场(1‑4)中分离后,正粒子经磁场(1‑4)偏转后,用一维位置灵敏探测器D2(1‑1)收集;正粒子与一维位置灵敏探测器D2(1‑1)相互作用,并在一维位置灵敏探测器D2(1‑1)中沉积能量,产生电荷脉冲信号;通过脉冲高度分析,鉴别出正粒子是正电子还是质子;根据电荷脉冲信号产生的位置,获得质子在一维位置灵敏探测器D2(1‑1)上的入射位置;根据入射位置,获得质子在磁场(1‑4)中的偏转半径;根据偏转半径和磁场强度,结合公式(2)计算出质子的能量;<maths num="0002" id="cmaths0002"><math><![CDATA[<mrow><msup><mi>R</mi><mo>&prime;</mo></msup><mo>=</mo><mn>3.336</mn><mfrac><msup><mi>E</mi><mo>&prime;</mo></msup><mi>B</mi></mfrac><msup><mrow><mo>(</mo><mn>1</mn><mo>+</mo><mfrac><mn>1839.67</mn><msup><mi>E</mi><mo>&prime;</mo></msup></mfrac><mo>)</mo></mrow><mfrac><mn>1</mn><mn>2</mn></mfrac></msup><mo>-</mo><mo>-</mo><mo>-</mo><mrow><mo>(</mo><mn>2</mn><mo>)</mo></mrow></mrow>]]></math><img file="FDA0000499382090000012.GIF" wi="1470" he="130" /></maths>式中,R′为质子在磁场(1‑4)中的偏转半径,单位为cm;E′为质子的能量,单位为MeV,B为磁场强度,单位为kGs。
地址 730000 甘肃省兰州市城关区渭源路97号
您可能感兴趣的专利