具有超大离子束发散角的离子源

摘要

本发明涉及一种用在光学真空镀膜机（离子束辅助沉积设备）或离子束溅射及刻蚀设备中的离子源，特别涉及一种具有超大离子束发散角的离子源。其技术方案是：包括气体放电室，气体放电室的一端设置有绝缘端盖，绝缘端盖外部设置有聚焦磁场产生单元和磁场扫描单元。本发明通过一组正交的磁场，对引入磁场中的离子束方向进行控制，通过设定X、Y方向电磁线圈的电压变化规律，可以实现离子束的空间扫描。调节电磁线圈的电流大小，就可以实现离子束的空间发散角控制。与现有技术相比，本发明的优点是：1、离子源输出的离子束发散角可达180°；2、离子束发散角可以根据实际需要进行调节，可满足不同薄膜沉积过程的需要；3、离子束流密度的均匀性好。

主权项

一种具有超大离子束发散角的离子源，包括气体放电室（10），气体放电室（10）的一端设置有绝缘端盖（9），绝缘端盖（9）的中部设置有离子束出孔，其特征在于：绝缘端盖（9）外部设置有聚焦磁场产生单元（1）和磁场扫描单元，聚焦磁场产生单元（1）的中部设置有离子束过孔；所述磁场扫描单元包括从下向上依次设置的下盖板（3）、中盖板（5）及上盖板（7），所述下盖板（3）与中盖板（5）之间设置有一对横向磁极（4），横向磁极（4）的磁极两端分别连接横向电磁线圈（8）；所述中盖板（5）与上盖板（7）之间设置有一对纵向磁极（6）、纵向磁极（6）的两端分别连接纵向电磁线圈（11），所述聚焦磁场产生单元（1）和磁场扫描单元的下盖板（3）之间设置有磁屏蔽板（2），磁屏蔽板（2）的中部设置有离子束过孔；所述下盖板（3）正中心设置有离子束入射孔，中盖板（5）及上盖板（7）正中心设置有离子束出射孔，所述离子束出射孔直径必须大于下盖板（3）到上盖板（7）的总高度的2倍再加上离子束入射孔直径之和。