藉由减少作用区域的凹陷及去除间隔件以增进电晶体的效能

摘要

本发明涉及通过减少作用区的凹陷及移除间隔体以增进电晶体效能，基于优异的制程顺序可形成半导体装置的精密电晶体，其中可获得增加紧密隔开闸极结构之间的空间以及减少作用区的材料损失。结果，可省略知用于描述汲极及源极延伸区之横向外形的偏移间隔体以及可完全移除用于深汲极及源极区的间隔体。

主权项

一种形成半导体装置的方法，该方法包含下列步骤：形成保护内衬于作用区上方以及在该作用区上形成闸极结构，该闸极包含电介质覆盖层；在该保护内衬存在的情况下，在该作用区中形成汲极及源极延伸区；形成间隔体结构于该保护内衬上；用该间隔体结构作为蚀刻遮罩来移除该保护内衬的暴露部份；在该间隔体结构存在的情况下，通过在该作用区中形成深汲极及源极区来形成汲极及源极区；以及移除该电介质覆盖层。