具有砷化铟镓覆盖层之长波长量子点红外线侦测器

摘要

本发明揭露一种量子点红外线侦测器结构，其包括：复合式基板；底部接触层，系形成在复合式基板上方；具有覆盖层之多层量子点吸收层，形成在底部接触层上方；及顶部接触层，形成在具有覆盖层之多层量子点吸收层上方。

主权项

一种具有单层之复数量子点结构层的量子点红外线侦测器结构，至少包含：一复合式半导体基板，其中该复合式半导体基板系为磷化铟(InP)；一底部接触层，该底部接触层形成在该复合式半导体基板上方，其中该底部接触层系由磷砷化镓铟(InGaAsP)以及砷化镓铝铟(InAlGaAs)群组中所选出；一组复数量子点结构层，该组复数量子点结构层形成在该底部接触层上方，其中该组复数量子点结构层包括：一第一能障层，该第一能障层形成在该底部接触层上，其中该第一能障层系由未掺杂之砷化铝镓(AlGaAs)、未掺杂之磷化铟(InP)、未掺杂之磷砷化镓铟(InGaAsP)以及未掺杂之砷化镓铝铟(InAlGaAs)群组中所选出；一量子点结构层，该量子点结构层形成在该第一能障层上，其中该量子点结构层系由一未掺杂之砷化铟以及一未掺杂之砷化铟镓群组中所选出；一覆盖层(capping layer)，该覆盖层形成在该量子点结构层上，该覆盖层系为该未掺杂之砷化铟镓(un-doped InGaAs)，该未掺杂之砷化铟镓具有降低一能量差的功能；以及一第二能障层，该第二能障层形成在该覆盖层上，其中该第二能障层系由未掺杂之砷化铝镓(AlGaAs)、未掺杂之磷化铟(InP)、未掺杂之磷砷化镓铟(InGaAsP)以及未掺杂之砷化镓铝铟(InAlGaAs)群组中所选出；以及一顶部接触层，该顶部接触层形成在该第二能障层上方。