半导体构造及该半导体构造之制造方法

摘要

本发明提供一种CMOS SGT，相对于场效电晶体(FET)的设计及制造中的知之平面型CMOS技术，无需复杂的装置制程，且将各种结晶面利用于FET的通道及柱的形状而在与知相同的基板上形成者。并且，在本发明中，与变化平面型FET的面方位之设计不同，系藉由变化SGT的面方位而实现移动率的提升。因此，藉由在相同的基板上形成具有各种结晶面的复数个SGT，而实现复数个不同的载子移动率，而能获得期望的性能。

主权项

一种半导体构造，系具备有：第一单结晶半导体侧壁通道，系具有第一面方位；以及第二单结晶半导体侧壁通道，系具有与前述第一面方位不同的第二面方位；其中，前述第一面方位与第二面方位系因对称性变换而不同；前述第一单结晶半导体侧壁通道系第一SGT的一部分，前述第二单结晶半导体侧壁通道系第二SGT的一部分；前述第一SGT系第一p通道SGT(PFET)及第二n通道SGT(NFET)中的一方，前述第二SGT系第二p通道SGT(PFET)及第二n通道SGT(NFET)中的一方；前述第一PFET及前述第一NFET中一方之全部的侧壁系结晶的{100}面、{110}面、以及{111}面之中的任意组合；前述第二PFET及前述第二NFET中一方之全部的侧壁系结晶{100}面、{110}面、以及{111}面之中的任意组合；前述第一PFET及前述第一NFET中一方之全部的侧壁的结晶面之组合、与前述第二PFET及前述第二NFET中一方之全部的侧壁的结晶面之任意的组合，系构成为使前述第一PFET及前述第一NFET之中一方与前述第二PFET及前述第二NFET之中一方之间的电流位准相等。