发明名称 |
降低半导体封装件之拉伸应力的方法与装置 |
摘要 |
本发明提供一种具有降低拉伸应力之半导体封装件。该半导体封装件包含封装件基板及半导体晶粒。该半导体晶粒系电性及实体性耦接至该封装件基板并包含并入于其内的应力缓和层。该应力缓和层具有预定结构及在该半导体晶粒内之预定位置,用来于该半导体封装件之加热及冷却期间降低该半导体封装件的拉伸应力。 |
申请公布号 |
TWI459519 |
申请公布日期 |
2014.11.01 |
申请号 |
TW098136443 |
申请日期 |
2009.10.28 |
申请人 |
格罗方德美国公司 美国 |
发明人 |
莱恩 E 托德;史奇艾尔 侯葛尔;李承铉 |
分类号 |
H01L23/34;H01L21/58;H01L21/31 |
主分类号 |
H01L23/34 |
代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
主权项 |
一种半导体封装件,包括:封装件基板;以及半导体晶粒,电性及实体耦接至该封装件基板,其中,该半导体晶粒包含并入于其中的应力缓和层,该应力缓和层具有预定结构及在该半导体晶粒内的预定位置,用来降低该半导体封装件的拉伸应力,其中,该半导体晶粒包含第一侧部分,该第一侧部分具有实体性地附接至该封装件基板的第一侧,其中,该应力缓和层具有第一热膨胀系数(Coefficient of Thermal Expansion,CTE),该第一CTE系回应该预定结构而决定,该应力缓和层之该第一CTE系不同于该半导体晶粒之该第一侧部分的晶粒部分CTE且定义在用来于该半导体封装件之加热及冷却期间降低该半导体封装件的拉伸应力的预定CTE范围内,以及其中,该应力缓和层之该预定位置系位于该半导体晶粒之第二侧附近,该第二侧系反向于该第一侧,其中,该半导体晶粒具有矽基板,以及其中,该应力缓和层为形成于该矽基板内之层。 |
地址 |
美国 |