发明名称 | 发光元件制造方法;MANUFACTURING METHOD OF LIGHT EMITTING DEVICE | ||
摘要 | 一种发光元件制造方法,包括下列步骤:首先,提供一半导体叠层,其中半导体叠层包括一第一型掺杂半导体层、一第二型掺杂半导体层及位于第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层之间的一主动层。接着,形成一反射层于半导体叠层之一侧。再来,形成一金属导电层于半导体叠层之另一侧。最后,对金属导电层远离半导体叠层的一侧进行电磁波闪烁式热处理。 | ||
申请公布号 | TW201442284 | 申请公布日期 | 2014.11.01 |
申请号 | TW102114152 | 申请日期 | 2013.04.19 |
申请人 | 晶元光电股份有限公司 | 发明人 | 杨治政;陈世益;许嘉良;吕绍平 |
分类号 | H01L33/36(2010.01) | 主分类号 | H01L33/36(2010.01) |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行五路5号 |