ＣＩＧＳ膜之制法及使用其之ＣＩＧＳ太阳电池之制法

摘要

本发明为提供一种可以低成本且再现性良好地制造具优异转换效率的CIGS膜之CIGS膜之制法及含其之CIGS太阳电池之制法,而具有下述步骤:积层步骤,系将含铟、镓、硒之层(A)及含铜与硒之层(B)以固相状态并在大于250℃且于400℃以下之加热状态下依序积层于基板上;及,加热步骤,系将积层有上述层(A)及层(B)之积层体再加热,使上述层(B)之铜与硒之化合物溶融成液相状态,藉此使上述层(B)中的铜扩散至上述层(A)中,使结晶成长而制得CIGS膜。