半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

摘要

实施形态的半导体装置是具备含有p型杂质及n型杂质之p型SiC的杂质领域。而且,在将p型杂质设为元素A,且将n型杂质设为元素D时,元素A与元素D的组合是Al(铝),Ga(镓)或In(铟)与N(氮),B(硼)与P(磷)的至少一方的组合,构成上述组合的元素D的浓度对于元素A的浓度的比是大于0.33,小于0.995,构成上述组合的元素A的浓度是11018cm-3以上11022cm-3以下。