用于后段互连体之自形成、自对准阻障及其制造方法

摘要

将绝缘导线形成为后段金属化之层间介电层(ILD)的处理包含对金属阻障前驱物进行热处理以在条件下使在该阻障前驱物中之至少一合金元素在该导线与该ILD间形成一介电阻障。该介电阻障系因此为自形成、自对准阻障。热处理进一步在条件下使得该至少一合金元素从其较高浓度之区域移动至其较低浓度之区域以进一步形成该介电阻障。许多装置系藉由该处理制成。

主权项

一种其中金属化系藉由自形成、自对准(SSA)阻障以封装该金属化而制成的装置，该装置包含：一半导体基板；一金属化导线，包含一底部、相对于该底部之一顶部、与两侧，其中将该金属化导线设置于被设置于该半导体基板上之层间介电层(ILD)中，且其中该金属化导线系接触且被封入一积体介电阻障中，该积体介电阻障由封闭该金属化导线之该底部、该顶部与该两侧的矽化物组成，该矽化物接触该金属化导线；及一介电膜，其与该ILD化学性质实质相同，设置于该ILD之上，该介电膜接触该ILD及该矽化物，该介电膜系设置于该金属化导线的正上方。