基板处理方法及基板处理装置

摘要

于将附着于基板表面之微粒等污染物质除去之基板处理方法及基板处理装置中，不招致处理量之下降，且以优异之面内均匀性除去微粒等。于自基板W之旋转中心P(0)向基板W之外缘侧远离之初始位置P(Rin)之上方配置冷却气体喷出喷嘴7，向旋转中之基板W之初始位置P(Rin)供给冷却气体，而使附着于包含初始位置P(Rin)及旋转中心P(0)之初始区域之DIW凝固。而且，形成初始凝固区域FR0之后，一面自喷嘴7供给冷却气体一面使其自初始位置P(Rin)之上方移动至基板W之外缘部之上方为止，藉此使凝固范围向基板W之外缘侧扩展而凝固附着于基板表面Wf之所有DIW(凝固对象液)，从而将液膜LF整体冻结。

主权项

一种基板处理方法，其特征在于包括：凝固步骤，其系一面使表面附着有凝固对象液之基板保持为大致水平而绕铅垂轴旋转，一面将凝固点低于上述凝固对象液之冷却用气体自喷嘴供给至上述基板之表面而使上述凝固对象液凝固；及融解步骤，其系将藉由上述凝固步骤所凝固之凝固对象液融解而除去；且上述凝固步骤包括：初始凝固步骤，其系自配置于自上述基板之旋转中心向上述基板之外缘侧远离之初始位置之上方的上述喷嘴将上述冷却用气体供给至上述初始位置，藉此使自上述初始位置连接至上述基板之旋转中心之初始区域之凝固对象液凝固；及喷嘴移动步骤，其系于上述初始凝固步骤后，一面自上述喷嘴供给上述冷却用气体一面使上述喷嘴相对移动至上述基板之外缘侧。