| 摘要 |
根据一具体实施例,半导体发光元件系包括包括有氮化物半导体之n型半导体层、p型半导体层及发光层。该p型半导体层系包括包括有Mg之Alx1Ga1-x1N(0≦x1<1)第一p侧层、包括有Mg之Alx2Ga1-x2N(0<x2<1)第二p侧层及包括有Mg之Alx3Ga1-x3N(x2<x3<1)第三p侧层。发光层系配置于n型半导体层与第二p侧层之间。发光层包括障壁层及井层。每一井层各配置于障壁层之间。障壁层最接近该第二p侧层之p侧障壁层系包括Alz1Ga1-z1N(0≦z1)第一层及Alz2Ga1-z2N(z1<z2<x2)第二层。 |
