发明名称 光阻图案修整方法;PHOTORESIST PATTERN TRIMMING METHODS
摘要 本发明系提供光阻图案修整方法。此等方法包括(a)提供半导体基板;(b)在基板上形成光阻图案,其中光阻图案系由包括:包括酸不安定基之基质聚合物;光酸产生剂和溶剂之化学放大光阻组成物所形成;(c)在基板之光阻图案上涂布光阻修整组成物,其中该修整组成物包含:基质聚合物,无氟之芳香族酸;和溶剂;(d)加热经涂布之基板,因而使光阻图案之表面区域中之光阻基质聚合物的极性改变;以及(e)使光阻图案与清洗剂接触以移除光阻图案的表面区域,由而形成经修整之光阻图案。此等方法在半导体装置制造上发现特别的应用性。
申请公布号 TW201441768 申请公布日期 2014.11.01
申请号 TW102148976 申请日期 2013.12.30
申请人 罗门哈斯电子材料有限公司 发明人 波乐斯 葛哈德;徐承柏;罗威 凯文
分类号 G03F7/038(2006.01);G03F7/039(2006.01) 主分类号 G03F7/038(2006.01)
代理机构 代理人 <name>洪武雄</name><name>陈昭诚</name>
主权项
地址 美国