半导体记忆装置

摘要

一种半导体记忆装置，包括：记忆体阵列，由复数单元组行列状地配置而成，每一单元组由电性可改写的记忆体元件串联连接所组成；列选择装置，用以选择单元组中之列方向的记忆体元件；以及位元线选择电路，用以选择耦接至单元组的位元线；其中，位元线选择电路包括：第一选择部分，其包括选择电晶体，用以选择性地耦接偶数位元线或奇数位元线至检测电路；以及第二选择部分，其包括偏压电晶体，用以选择性地耦接偶数位元线或奇数位元线至提供偏压的电压源；偏压电晶体与记忆体阵列之记忆体元件形成在共通的井(well)中。

主权项

一种半导体记忆装置，包括：记忆体阵列，由复数单元组行列状地配置而成，每一上述单元组由电性可改写的记忆体元件串联连接所组成；列选择装置，用以选择上述单元组中之列方向的记忆体元件；以及位元线选择电路，用以选择耦接至上述单元组的位元线；其中，上述位元线选择电路包括：第一选择部分，其包括选择电晶体，用以选择性地耦接偶数位元线或奇数位元线至检测电路；以及第二选择部分，其包括偏压电晶体，用以选择性地耦接上述偶数位元线或上述奇数位元线至提供偏压的电压源；上述偏压电晶体与上述记忆体阵列之记忆体元件形成在共通的井(well)中；其中上述偏压电晶体包括耦接至上述偶数位元线与上述电压源间之偶数偏压电晶体，与耦接至上述奇数位元线与上述电压源间之奇数偏压电晶体，上述偶数偏压电晶体与上述奇数偏压电晶体包括各自并联连接之复数电晶体；其中上述电压源包括于半导体井中以行方向延伸之条状部分，上述偶数偏压电晶体之闸极电极配置于上述电压源之一侧，上述奇数偏压电晶体之闸极电极配置于上述电压源之另一侧，上述电压源电性耦接至上述偶数偏压电晶体与上述奇数偏压电晶体之扩散区；上述偶数位元线与上述奇数位元线包括与上述电压源交叉且以列方向延伸之条状部分，上述偶数位元线耦接至上述偶数偏压电晶体之扩散区，上述奇数位元线耦接至上述奇数偏压电晶体之扩散区。