发明名称 极限紫外线微影遮罩坯料制造系统及用于该制造系统之操作方法;EXTREME ULTRAVIOLET LITHOGRAPHY MASK BLANK MANUFACTURING SYSTEM AND METHOD OF OPERATION THEREFOR
摘要 一种处理系统,该处理系统包括:真空腔室;复数个处理系统,该等复数个处理系统附接于真空腔室之周围;以及晶圆传送系统,该晶圆传送系统位于该真空腔室中,用于在复数个处理系统之间移动晶圆,而不从真空中离开。一种用于制造极紫外线坯料之物理气相沉积系统,该系统包含:靶材,该靶材包含钼、钼合金或上述两者之组合。
申请公布号 TW201442136 申请公布日期 2014.11.01
申请号 TW103106805 申请日期 2014.02.27
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 霍夫曼赖夫;比斯利卡拉;福德马吉德A
分类号 H01L21/677(2006.01);C23C14/56(2006.01) 主分类号 H01L21/677(2006.01)
代理机构 代理人 <name>蔡坤财</name><name>李世章</name>
主权项
地址 美国