多层半导体晶圆之加工技术

摘要

本发明揭露一种用以在一具有图案的矽晶圆中切削或是形成一特征之方法及设备，其包括使用脉冲宽度在1皮秒到1000皮秒之间的一第一脉冲雷射光束去除位于晶圆上之部份的表面层；以及使用一波长在200奈米到1100奈米之间的一第二脉冲雷射光束自晶圆去除位于下方的部份块状矽。重新沈积的矽能够藉由蚀刻自晶圆去除。

主权项

一种在具有图案之矽晶圆中切削或形成形貌体之方法，其包含：a.使用来自一第一雷射的一第一脉冲雷射光束去除该晶圆上之表面层的部份，该第一脉冲雷射光束具有一第一波长及在1皮秒与1000皮秒之间的一脉冲宽度，其中该第一波长介于1000奈米与1100奈米之间；b.其后使用来自一第二雷射的一第二脉冲雷射光束自该晶圆去除该等表面层下方的主体矽之部份，该第二脉冲雷射光束具有短于该第一波长之在200奈米与1100奈米之间的一第二波长；及其中该第一脉冲雷射光束及该第二脉冲雷射光束相互在时间上偏移，且于投射在该矽晶圆上的一相同位置前沿着一光束路径的一共同部分传递。