Ｃｕ－Ｇａ合金烧结体溅镀靶、该靶之制造方法、由Ｃｕ－Ｇａ合金烧结体靶所制作之光吸收层及使用该光吸收层之ＣＩＧＳ系太阳电池

摘要

一种Cu-Ga合金烧结体溅镀靶，其特征在于：其系由Ga浓度为20～60at%、剩余部份为Cu及无法避免的杂质之Cu-Ga合金粉末之烧结体所构成，该烧结体的相对密度为97%以上，平均结晶粒径为5～30μm，氧含量为400ppm以下。又，氧浓度为400ppm以下，亦有效于使组成均匀，该靶可利用原料粉之粉末制造法与热压法来制造。提供一种Cu-Ga靶中无组成偏析，长时间溅镀后溅镀所得之膜上亦无粒子附着之Cu-Ga靶及其之制造方法。

主权项

一种Cu-Ga合金烧结体溅镀靶，其特征在于：其系由Ga浓度为20~60at%、剩余部份为Cu及无法避免的杂质之Cu-Ga合金粉末之烧结体所构成，该烧结体之相对密度为97%以上，平均结晶粒径为5~30μm，氧含量为400ppm以下。