| 发明名称 |
Ｃｕ－Ｇａ靶及其制造方法 |
| 摘要 |
提供一种高密度、且金属杂质浓度低之Cu-Ga靶及其低成本之制造方法。一种Cu-Ga合金烧结体溅镀靶，系Ga浓度为20～60at%之Cu-Ga合金烧结体，其特征在于：相对密度为97%以上，平均粒径为5～30μm，金属杂质之含量未达10ppm。减少原料中之金属杂质浓度，并且防止自利用粉末法之制程中之金属杂质构成材料之混入。 |
| 申请公布号 |
TWI458846 |
申请公布日期 |
2014.11.01 |
| 申请号 |
TW099121612 |
申请日期 |
2010.07.01 |
| 申请人 |
ＪＸ日鑛日石金属股份有限公司 日本 |
发明人 |
生泽正克;高见英生;田村友哉 |
| 分类号 |
C23C14/34;C22C9/00;C22C28/00;B22F3/14;C23C14/14;H01L21/66 |
主分类号 |
C23C14/34 |
| 代理机构 |
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代理人 |
阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼 |
| 主权项 |
一种Cu-Ga合金烧结体溅镀靶，系Ga浓度为20~60at%之Cu-Ga合金烧结体，其特征在于：相对密度为97%以上，平均粒径为5~30μm，各种金属杂质之含量未达10ppm。 |
| 地址 |
日本 |
