半导体装置及其终端区结构

摘要

一种半导体装置之终端区结构,包含一半导体层;复数沟槽,形成于该半导体层之表面;一连结沟槽,形成于该半导体层之表面,用于连接该复数沟槽中相邻之二沟槽;一第一绝缘层,形成于该复数沟槽、该连结沟槽、及该半导体层之表面;导电材料,形成于该复数沟槽及该连结沟槽内;一第二绝缘层,覆盖该第一绝缘层之部分表面及该导电材料之部分表面;及一金属层,覆盖该第二绝缘层之部分表面。