发明名称 半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要 本发明系一种半导体装置及其制造方法,其中,具有:半导体基板,和依序具有含有不纯物于第1范围之半导体基板上之第2矽膜与导体膜之第1配线,和依序具有含有不纯物于第2范围之半导体基板上之第1矽膜与蚀刻停止膜与含有不纯物之第2矽膜与导体膜之第2配线者。
申请公布号 TW201442209 申请公布日期 2014.11.01
申请号 TW102146063 申请日期 2013.12.13
申请人 PS4卢克斯科公司 发明人 杉野献一
分类号 H01L27/115(2006.01);H01L21/28(2006.01) 主分类号 H01L27/115(2006.01)
代理机构 代理人 <name>林志刚</name>
主权项
地址 卢森堡