直接的晶圆接合;DIRECT WAFER BONDING

摘要

本揭示提供直接晶圆接合方法,其包括:提供接合层于第一和第二晶圆上,以及在热和压力下把第一和第二晶圆直接接合在一起。该方法藉由在元件之间引入高度掺杂的(Al)(Ga)InP(As)(Sb)层,而可以用于把基于GaAs的、基于InP的、基于GaP的、基于GaSb的或基于Ga(In)N的元件直接接合到GaAs元件。接合层材料形成具有高接合强度、低电阻、高光学穿透度的接合。