发明名称 晶粒位置补偿
摘要 本发明阐述对一半导体装置之随一晶粒在一装置中之位置而变之一特性(例如,效能或操作)的差异进行补偿的实施例。在一个实施例中,一时脉电路可产生具有随一晶粒之位置而变化之一定时的时脉信号,使得同时将信号自该晶粒耦合至一基板而不论该基板与各种晶粒之间之信号传播时间的差异如何。在其他实施例中,举例而言,可对由一晶粒在一堆叠中之位置的差异而引起之终端阻抗或驱动器驱动强度的差异进行补偿。本发明亦揭示其他实施例。
申请公布号 TWI459722 申请公布日期 2014.11.01
申请号 TW099128113 申请日期 2010.08.23
申请人 美光科技公司 美国 发明人 马炎涛
分类号 H03L7/081;G11C8/18 主分类号 H03L7/081
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种半导体装置,其具有:复数个半导体晶粒;一电连接器;及一补偿电路,该补偿电路经组态以对该等半导体晶粒中之每一者与该电连接器之间耦合信号之方式的差异进行补偿,其中该补偿电路包含:一锁定回路,其接收一输入周期性信号且经组态以产生一输出周期性信号,该锁定回路包括一相位侦测器及经组态以将一回馈信号耦合至该相位侦测器之一回馈路径;及一延迟单元,其耦合于该回馈路径中以使该回馈信号延迟一延迟,该延迟单元经组态以接收一选择信号且依据该选择信号来调整延迟电路之该延迟,其中该延迟单元包含复数个延迟电路,该复数个延迟电路之每一者由一各别选择信号启用以提供一各别延迟。
地址 美国