发明名称 半导体组装结构与其形成方法
摘要 本发明提供一种半导体组装结构与其形成方法。方法包括清洁一包含铜之连接结构,且此连接结构形成于一基材之上;施加一冷锡到连结结构;施加一热锡到连结结构;以及旋转润洗(spin rising)与乾燥(drying)连接结构。
申请公布号 TWI459484 申请公布日期 2014.11.01
申请号 TW099139501 申请日期 2010.11.17
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 发明人 黄见翎;萧义理;刘重希
分类号 H01L21/60;H01L23/488 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人 洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项 一种半导体组装结构之形成方法,包括以下步骤:清洁形成于一基材上的一连接结构(connector),其中该连接结构包括铜;施加一冷锡到该连接结构;在施加该冷锡到该连接结构之后,施加一热锡到该连接结构,其中该热锡之温度范围高于该冷锡之温度范围,且其中施加该冷锡及施加该热锡之步骤在该铜之上形成一铜-锡化合物层;以及旋转润洗(spin rising)与乾燥(drying)该连接结构,其中介于该铜-锡化合物层与该铜之间的一介面无宽度大于约100奈米的孔洞。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号