发明名称 气体精制方法
摘要 本发明之气体精制方法系使用具有分子筛作用之碳膜,将选自含有10ppm以下不纯物的氢化物气体、卤化氢气体、及卤素气体所成群组中之至少1种气体进行精制。本发明可使用于将使用后之气体予以回收并再次做为超高纯度之半导体材料气体利用的回收装置、制造或填充超高纯度之半导体材料气体的装置或设备。
申请公布号 TWI458540 申请公布日期 2014.11.01
申请号 TW097138841 申请日期 2008.10.09
申请人 大阳日酸股份有限公司 日本;独立行政法人产业技术总合研究所 日本 发明人 宫泽让;小林芳彦;原谷贤治;吉宗美纪
分类号 B01D53/00;B01D71/02;B01D69/08 主分类号 B01D53/00
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼
主权项 一种气体精制方法,系具有:使用具有分子筛作用之碳膜,将选自氢化物气体、卤化氢气体、及卤素气体所成群组中之至少1种精制对象气体与不纯物进行精制分离之步骤,以及将穿透前述碳膜之前述不纯物以吹扫气体吹扫之步骤之气体精制方法,其中,前述精制对象气体含有10ppm以下之不纯物,前述不纯物的分子径比前述精制对象气体的分子径小。
地址 日本