用于将基板分割成个别装置之方法和结构

摘要

本发明揭露一自一半导体结构获得个别晶粒之方法。半导体结构包括一装置层，而装置层则包括由预定间隔所分离之主动区。厚金属系选择性形成于装置层的背侧上以使厚金属形成于主动区的背侧上但未于预定间隔的背侧上。半导体结构随后沿着预定间隔被切割以将主动区及其背侧上的厚金属分离成个别晶粒。

主权项

一种自一半导体结构获得个别晶粒之方法，该半导体结构包括一装置层，该装置层则包括被预定间隔所分离之复数个主动区，该方法包含：将一金属层选择性形成于该装置层的一背侧表面上，以使该金属层形成于该等复数个主动区的各别背侧表面上但未于该等预定间隔的一背侧表面上；及沿着该等预定间隔切割该半导体结构，以将该等复数个主动区连同其各别背侧表面上的金属层分离成个别晶粒。