包含氮化矽之膜的电浆辅助原子层沉积;PEALD OF FILMS COMPRISING SILICON NITRIDE

摘要

兹提供利用PEALD制程来沉积SiN膜的方法。某些方法系关于使基板表面接触矽前驱物，以于基板表面提供矽前驱物；驱净过量的矽前驱物；使基板表面接触离子化还原剂；及驱净过量的离子化还原剂，以提供包含SiN的膜，其中基板的温度为23℃至约550℃。