电浆蚀刻方法

摘要

本发明提供电浆蚀刻方法，其利用第1处理气体，对于上方形成有已图案化之矽氧化物膜的被处理基板中的矽层进行蚀刻，以形成孔部；该电浆蚀刻方法包含有：第1沉积步骤S11，利用含有一氧化碳气体的第2处理气体，在矽氧化物膜之表面沉积出保护膜；第1蚀刻步骤S12，利用第1处理气体，将矽层进行蚀刻；第2沉积步骤S13，利用第2处理气体，在孔部之侧壁沉积出保护膜；及第2蚀刻步骤S14，利用第1处理气体，进一步将矽层进行蚀刻；且将第2沉积步骤S13与第2蚀刻步骤S14加以交替地重复进行至少各2次。

主权项

一种电浆蚀刻方法，对于矽层上方形成有已图案化成既定图案之矽氧化物膜的被处理基板中的该矽层，以该矽氧化物膜为遮罩，利用第1处理气体的电浆来进行蚀刻，而形成孔部；包含有：第1沉积步骤，利用含有一氧化碳气体之第2处理气体的电浆，在该矽氧化物膜之表面沉积出保护膜；第1蚀刻步骤，以表面沉积有该保护膜的该矽氧化物膜为遮罩，利用该第1处理气体的电浆，将该矽层进行蚀刻；第2沉积步骤，于该第1蚀刻步骤后，利用该第2处理气体的电浆，在所形成之该孔部的侧壁沉积出该保护膜；及第2蚀刻步骤，以表面沉积有该保护膜的该矽氧化物膜为遮罩，利用该第1处理气体的电浆，进一步将该矽层进行蚀刻；且将该第2沉积步骤与该第2蚀刻步骤加以交替地重复进行至少各2次。