利用参考记忆体单元来读取非挥发性记忆体之结构及其方法

摘要

本发明提供一种利用参考记忆体单元来读取非挥发性记忆体之结构及其方法。本发明可以减少知技术中因直流电流偏压而导致之大电流消耗，并达到以快速及高解析度来感测记忆体单元的临界电压之目的。

主权项

一种资料读取装置，包含：一感测放大器，用以感测该感测放大器的一第一输入端及一第二输入端之间的电压差；一第一电容器及一第二电容器，分别连接至该第一输入端及该第二输入端，用以分别将该第一输入端及该第二输入端充电至一预设电压；以及一读取非挥发性记忆体(NVM)单元及一参考NVM单元，分别连接至该第一输入端及该第二输入端；其中，当同时施加一闸极偏压至该读取NVM单元的控制闸极及该参考NVM单元的控制闸极时，该第一电容器及该第二电容器系透过该读取NVM单元及该参考NVM单元进行放电；以及其中，该第一电容器及该第二电容器的电容值实质上相同。