发明名称 座标位置侦测装置之制造方法
摘要 本发明揭示一种一座标位置侦测装置之制造方法,其包括以下步骤:在具有一矩形组态之基板之四侧之电阻膜上形成共用电极;藉由接触该电阻膜之一表面的复数个探针测量该电阻膜之电位,其中将该电位自该共用电极供应至该电阻膜;藉由一计算部分基于一测量之电位的一值计算一电阻膜移除区域,使得该电阻膜之该电位分布均匀;以及藉由一雷射光在藉由该计算部分计算之该电阻膜移除区域中移除该电阻膜。
申请公布号 TWI459276 申请公布日期 2014.11.01
申请号 TW098112392 申请日期 2009.04.14
申请人 富士通电子零件有限公司 日本 发明人 近藤幸一
分类号 G06F3/045 主分类号 G06F3/045
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种座标位置侦测装置之制造方法,该座标位置侦测装置包括:一电阻膜,其系形成在一基板上;以及一共用电极,其经组态以施加一电压至该电阻膜;其中藉由自该共用电极供应一电位至该电阻膜且涵盖接触该电阻膜之一位置之一电位而在该电阻膜上产生一电位分布,以便侦测该电阻膜之一接触位置座标;该座标位置侦测装置之该制造方法包含以下步骤:在具有一矩形架构之该基板之四侧之该电阻膜上形成该共用电极;藉由接触该电阻膜之一表面的复数个探针而测量该电阻膜之该电位,该电位系自该共用电极供应至该电阻膜;藉由一计算部分基于一所测量的电位之一值而计算一电阻膜移除区域,以使得该电阻膜之该电位分布系均匀的;以及藉由一雷射光,移除由该计算部分计算出之该电阻膜移除区域中之该电阻膜。
地址 日本