奈米级侧向成长磊晶之薄膜发光二极体及其制作方法

摘要

本发明提供一种奈米级侧向成长磊晶之薄膜发光二极体及其制作方法。本发明之奈米级侧向成长磊晶之薄膜发光二极体包含有一基板；一位于基板上的接合金属层；一位于接合金属层上的第一电极；一位于第一电极上的半导体结构，其系侧向磊晶所形成；以及一位于半导体结构上的第二电极，上述之半导体结构未被第二电极所附盖的上表面形成有一奈米级粗糙化结构。本发明藉由侧向磊晶成长方式有效抑制半导体结构内的叠层缺陷与降低差排密度，提升发光层结晶品质，降低漏电流，同时半导体结构表面形成有粗化结构，以提升外部量子效率。

主权项

一种奈米级侧向成长磊晶之薄膜发光二极体，其包含有：一基板；一接合金属层，其系位于该基板上；一第一电极，其系位于该接合金属层上；一半导体结构，其位于该第一电极上，该半导体结构是侧向磊晶形成；以及一第二电极，其系位于该半导体结构上，该半导体结构未被该第二电极所附盖的上表面形成有一奈米级粗糙化结构，其中该半导体结构是于一具奈米级图形化氧化矽层之磊晶基板上侧向磊晶成长后剥离所形成，该奈米级粗糙化结构系形成于该半导体结构之底表面，且该奈米级粗糙化结构系对应于该磊晶基板上之该奈米级图形化氧化矽层之图案。