切割黏晶膜及切割方法

摘要

本发明系关于一种切割黏晶膜，其使用于任何的半导体制程中皆具有优异的可加工性以及信赖性，如黏着性、隙缝填充性、以及取出便利性，且可防止切割步骤中毛边以及污染的情形发生。此外，本发明亦关于一种切割方法。尤其，本发明之特征在于，将切割黏晶膜之拉伸性能最佳化，或对黏晶膜部分进行切割并经由延展步骤将其分离。因此，本发明可调整薄膜的物理特性，使切割步骤中毛边的产生以及晶片受污染的状况受到控制，使不受特定限制情形下具有最佳的黏着特性、取出特性、以及填缝性。因此，封装步骤中之可加工性以及信赖性得以良好地维持。

主权项

一种切割方法，系使用一切割黏晶膜，该切割黏晶膜系包括一切割膜，具有一基膜、以及一形成于该基膜上之压敏胶黏层；以及一形成于该切割膜上之黏晶膜，该方法包括：一第一步骤，系将一晶圆黏着于该黏晶膜上；一第二步骤，系切割至该黏晶膜非完全切断之深度；以及一第三步骤，系将切割黏晶膜延展以将黏晶膜完全分离。