侦测器、制造侦测器的方法及微影装置

摘要

本发明系关于一种辐射侦测器、一种制造一辐射侦测器之方法及一种包含一辐射侦测器之微影装置。该辐射侦测器具有一辐射敏感表面。该辐射敏感表面对于具有一在10 nm至200 nm之间的波长之辐射及/或对于带电粒子敏感。该辐射侦测器具有一矽基板、一掺杂剂层、一第一电极及一第二电极。该矽基板在一第一表面侧处之一表面区域中具备某一传导类型之掺杂分布。该掺杂剂层提供于该矽基板之该第一表面侧上。该掺杂剂层具有掺杂剂材料之一第一层及一第二层。该第二层为一与该矽基板之该第一表面侧处之该表面区域进行接触的扩散层。该第一电极连接至掺杂剂层。该第二电极连接至该矽基板。

主权项

一种侦测器，其包含：一基板，该基板具有一表面；掺杂剂材料之一第一掺杂剂层；一第二掺杂剂层，其为一与该基板之该表面及该第一掺杂剂层接触之扩散层，表示该第二掺杂剂层之掺杂浓度之掺杂分布系从该基板之该表面向该第一掺杂剂层增加；一第一电极，该第一电极连接至该第一掺杂剂层；及一第二电极，该第二电极连接至该基板；其中该基板之该表面之区域及该第二掺杂剂层经配置以形成辐射敏感表面；且该第二掺杂剂层系包含与该基板之该表面接触之单结晶副层、及与该第一掺杂剂层接触之非单结晶副层。